是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 8.41 |
雪崩能效等级(Eas): | 8.1 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A |
最大漏极电流 (ID): | 11 A | 最大漏源导通电阻: | 0.52 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 44 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP11N52K3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R5012620 | POWEREX |
获取价格 |
General Purpose Rectifier (200-300 Amperes Average 1400-2600 Volts) | |
R5012625 | POWEREX |
获取价格 |
General Purpose Rectifier (200-300 Amperes Average 1400-2600 Volts) | |
R5012630 | POWEREX |
获取价格 |
General Purpose Rectifier (200-300 Amperes Average 1400-2600 Volts) | |
R5013ANJ | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET | |
R5013ANJTL | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
R5013ANJTLL | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
R5013ANX | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET | |
R5013ANXFU6 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
R5016ANJ | ROHM |
获取价格 |
10V Drive Nch MOSFET | |
R5016ANJTL | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |