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R3133D43EA8-TR-FA

更新时间： 2024-02-17 00:20:28

品牌	Logo	应用领域
理光 - RICOH		光电二极管
页数	文件大小	规格书
27页	250K
描述
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, CMOS, PDSO6, SON1612-6

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技术参数
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R3133D43EA8-TR-FA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SON
包装说明：	VSOF,	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.83
可调阈值：	NO	模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e2
长度：	1.6 mm	信道数量：	1
功能数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSOF
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.9 V	标称供电电压 (Vsup)：	4.48 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	1.2 mm

R3133D43EA8-TR-FA 数据手册

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R3132x/R3133x

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Topt=25°C

Symbol

Item

Test Conditions

Topt=25°C

Min.

0.75

0.85

0.80

0.90

Typ.

Max.

6.00

Unit

R3132

R3133

−40°C Topt 85°C

VDD

Operating Voltage

Topt=25°C

−40°C Topt 85°C

V^DET×

0.98

VDET×

1.02

VDET

Detector Threshold

ISS1

ISS2

Supply Current1

Supply Current2

2.0

3.6

3.0

2.5

V^DD=VDET−0.1V, IOUT=0A

V^DD=VDET+0.1V, IOUT=0A

VDET<1.6V

µA

V^DD=6.0V,

I^OUT=0A

ISS3

Supply Current3

µA

1.6V VDET<2.7V

2.7V

VDET

VOH

VOL

“H” Output Voltage

“L” Output Voltage

Refer to the specification table below.

MR pin pull-up

resistance

RMR

0.5

1.0

4.0

Topt=25°C

MΩ

µs

Output Delay Time

for detect

Note1

Trst^∗

VDD=VDET to VDET−0.1V

VDD=0.8V to VDET+1.0V

Output Delay Time

for release

Tdelay⁽^∗²⁾

204

240

276

Detector Threshold

Temperature

Coefficient

ppm/

°C

∆VDET/

∆Topt

−40°C Topt 85°C

±100

Note1) Guaranteed by design, not mass production tested.

1...3 4 567 8 9...27

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