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R3132Q18EA-TR-FE

更新时间： 2024-01-01 11:19:17

品牌	Logo	应用领域
理光 - RICOH		光电二极管
页数	文件大小	规格书
28页	384K
描述
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, CMOS, PDSO4, SC-82AB, 4 PIN

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技术参数
数据手册

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R3132Q18EA-TR-FE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSOP,	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.63
其他特性：	DETECTOR THRESHOLD VOLTAGE IS 1.8V	可调阈值：	NO
模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	长度：	2 mm
湿度敏感等级：	1	信道数量：	1
功能数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.05 mm	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.3 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

R3132Q18EA-TR-FE 数据手册

浏览型号R3132Q18EA-TR-FE的Datasheet PDF文件第10页

R3132x/R3133x

• "H" Output Voltage (VOH) table

Topt=25°C

Products

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

VDET<1.2V

1.2V≤VDET<2.0V

2.0V≤VDET<3.1V

3.1V≤V^DET

V^DD=VDET+0.1V, IOH=−50μA

V^DD=VDET+0.1V, IOH=−150μA

V^DD=VDET+0.1V, IOH=−500μA

V^DD=VDET+0.1V, IOH=−800μA

V^DD=VDET−0.1V, IOH=−10μA

V^DD=VDET−0.1V, IOH=−100μA

V^DD=VDET−0.1V, IOH=−500μA

V^DD=VDET−0.1V, IOH=−800μA

R3132xxxEC

0.8×V^DD

VDET<1.2V

1.2V≤VDET<2.0V

2.0V≤VDET<3.1V

3.1V≤V^DET

R3133xxxEC

0.8×V^DD

VDET is a set value.

• "L" Output Voltage (VOL) table

Topt=25°C

Symbol

Item

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

VDET<1.2V

V^DD=VDET−0.1V, IOL=20μA

V^DD=VDET−0.1V, IOL=750μA

V^DD=VDET−0.1V, IOL=1.2mA

V^DD=VDET−0.1V, IOL=3.2mA

V^DD=VDET+0.1V, IOL=20μA

V^DD=VDET+0.1V, IOL=750μA

V^DD=VDET+0.1V, IOL=1.2mA

V^DD=VDET+0.1V, IOL=3.2mA

0.3

1.2V≤VDET<1.6V

1.6V≤VDET<3.1V

3.1V≤V^DET

R3132xxxEx

0.4

0.3

VDET<1.2V

1.2V≤VDET<1.6V

1.6V≤VDET<3.1V

3.1V≤V^DET

R3133xxxEx

0.4

VDET is a set value.

1...4 5 678 9 10...28

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