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R1200

更新时间: 2024-02-09 22:11:15
品牌 Logo 应用领域
DIOTECH 高压
页数 文件大小 规格书
2页 793K
描述
HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER

R1200 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.33
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

R1200 数据手册

 浏览型号R1200的Datasheet PDF文件第1页 
R1200 THRU R2000  
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES  
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE  
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
0.5  
0.4  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Single Phase  
Half Wave 60Hz  
Resistive or  
8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE  
(JEDEC Method)  
Inductive Load  
0.3  
0.2  
0.1  
0
1
10  
100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
AMBIENT TEMPERATURE, oC  
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  
FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS  
10  
1.0  
0.1  
TJ = 25oC  
0.01  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%  

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