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R1200

更新时间: 2024-02-23 15:34:29
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UNIOHM 高压
页数 文件大小 规格书
2页 61K
描述
HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIERS

R1200 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.33
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

R1200 数据手册

 浏览型号R1200的Datasheet PDF文件第1页 
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (R1200 THRU R2500)  
FIG.2 - TYPICAL REVERSE  
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE  
CHARACTERISTICS  
600  
100  
Single Phase  
500  
400  
300  
Half Wave 60Hz  
Resistive Or Inductive Load  
0.375"(9.5mm) Lead Length  
10  
200  
Tj=100 C  
100  
0
1.0  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180  
200  
AMBIENT TEMPERATURE ( C)  
Tj=25 C  
.1  
.01  
0
20 40 60 80 100 120 140  
PERCENTAGE RATED PEAK REVERSE VOLTAGE  
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD  
SURGE CURRENT  
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
70  
30  
24  
18  
12  
6
60  
50  
40  
8.3ms Single Half  
Tj=25 C  
30  
20  
10  
0
Sine Wave  
JEDEC method  
0
.01  
.05  
.1  
.5  
1
5
10  
50  
100  
50  
1
5
10  
100  
REVERSE VOLTAGE,(V)  
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  

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