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Datasheet > 光电 > 光电二极管> R-11-055A-G-A
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R-11-055A-G-A

更新时间： 2024-11-19 13:12:39
品牌 Logo 应用领域
SOURCE 光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 562K
描述
PIN Photodiode, HERMETICALLY SEALED, METAL, TO-46, 3 PIN

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R-11-055A-G-A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：HERMETICALLY SEALED, METAL, TO-46, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.60.50
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大暗电源：0.8 nA
红外线范围：YES功能数量：1
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：PIN PHOTODIODE最小反向击穿电压：20 V
形状：ROUND尺寸：2 mm
Base Number Matches：1

R-11-055A-G-A 数据手册

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55um InGaAs PIN Photodiode  
Modules-pigtailed  
R-11-055X-P-SXX/XXX-X-XX  
Features  
• InGaAs/InP PIN Photodiode  
• High responsivity at 1310nm and 1550nm  
• Low dark current  
• Low intermodulation distortion  
• High responsivity  
• Hermetically sealed 3-pin metal case  
• SM fiber pigtailed with optional FC/ST/SC connector  
• RoHS Compliant available  
Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Supply Reverse voltage  
VR  
20  
Forward Current  
IF  
2
mA  
mA  
ºC  
Reverse Current  
IR  
1
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Topr  
Tstg  
-40 ~ +85  
-40 ~ +85  
ºC  
(All optical data refer to a coupled 9/125µm SM fiber)  
Optical and Electrical Characteristics (Tc=25ºC)  
Parameter  
Active Area (Dia)  
Detection Range  
Responsivity  
Symbol  
Min  
-
Typ  
55  
Max  
-
Unit  
µm  
nm  
A/W  
nA  
Test Conditions  
-
1100  
1310  
1650  
-
R
0.75  
0.8  
-
0.8  
-
VR =5V, λ=1310nm  
VR =5V  
Dark Current  
Capacitance  
Idark  
Ct  
-
-
-
0.8  
pF  
VR =5V  
Rise/Fall Time  
Bandwidth  
tr/tf  
BW  
ORL  
-
-
-
-
0.3  
-
ns  
VR =5V, 10%~90%  
VR =5V  
3
40  
GHz  
dB  
Optical Return Loss  
-
λ=1310nm  
Note: 1.Specifications subject to change without notice.  
LUMNDS801-DEC1406  
rev. A.1  
20550 Nordhoff St. • Chatsworth, CA 91311 • tel: 818.773.9044 • fax: 818.576.9486  
9F, No 81, Shui Lee Rd. • Hsinchu, Taiwan, R.O.C. • tel: 886.3.5169222 • fax: 886.3.5169213  
LUMINENTOIC.COM  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R-11-055B-P-S SOURCE

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