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QK015L5TP

更新时间： 2024-01-04 05:40:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
10页 283K
描述
TRIAC, 1000V V(DRM), 15A I(T)RMS, TO-220AB, ISOLATED TO-220AB, 3 PIN

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QK015L5TP 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.23其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：4 V/us关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：70 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：15 A断态重复峰值电压：1000 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

QK015L5TP 数据手册

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Triacs  
Data Sheets  
Part Number  
IT(RMS)  
VDRM  
IGT  
IDRM  
Isolated  
Non-isolated  
(4) (16)  
(1)  
(3) (7) (15)  
(1) (16)  
MT2  
MT2  
MT1  
MT2  
MT2  
G
MT2  
MT1  
G
G
MT1  
MT1  
G
Gate  
MT1  
MT2  
MT2  
MT2  
mAmps  
mAmps  
TO-3  
Fastpak  
TO-263  
T
=
T
=
T =  
C
C
C
2
TO-220  
TO-202  
TO-220  
Volts  
D Pak  
QI  
QII  
QIII QIV QIV 25 °C 100 °C 125 °C  
MAX  
See “Package Dimensions” section for variations. (11)  
MIN  
200  
400  
600  
800  
1000  
200  
400  
600  
800  
1000  
200  
400  
600  
800  
1000  
200  
400  
600  
800  
1000  
600  
800  
600  
800  
MAX  
TYP  
MAX  
1
1
1
1
3
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
3
0.5  
0.5  
0.5  
1
3
1
1
1
Q2010L4  
Q4010L4  
Q2010R4  
Q4010R4  
Q6010R4  
Q8010R4  
QK010R4  
Q2010R5  
Q4010R5  
Q6010R5  
Q8010R5  
QK010R5  
Q2015R5  
Q4015R5  
Q6015R5  
Q8015R5  
QK015R5  
Q2025R5  
Q4025R5  
Q6025R5  
Q8025R5  
QK025R5  
Q2010N4  
Q4010N4  
25  
25  
25  
25  
25  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
25  
25  
25  
25  
25  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
25  
25  
25  
25  
25  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
0.05  
0.05  
0.05  
0.1  
Q6010L4  
Q8010L4  
QK010L4  
Q2010L5  
Q4010L5  
Q6010L5  
Q8010L5  
QK010L5  
Q2015L5  
Q4015L5  
Q6015L5  
Q8015L5  
QK015L5  
Q6010N4  
Q8010N4  
QK010N4  
Q2010N5  
Q4010N5  
Q6010N5  
Q8010N5  
QK010N5  
Q2015N5  
Q4015N5  
Q6015N5  
Q8015N5  
QK015N5  
Q2025N5  
Q4025N5  
Q6025N5  
Q8025N5  
QK025N5  
10 A  
0.1  
Q2010F51  
Q4010F51  
Q6010F51  
75  
75  
75  
75  
75  
0.05  
0.05  
0.05  
0.1  
2
2
2
2
0.1  
0.05  
0.05  
0.05  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
2
2
2
3
15 A  
3
3
3
3
1
3
25 A  
35 A  
Q6025P5  
Q8025P5  
Q6035P5  
Q8035P5  
120  
120  
120  
120  
5
5
5
5
V
DRM — Repetitive peak blocking voltage  
VGT — DC gate trigger voltage; VD = 12 V dc; RL = 60 Ω  
TM — Peak on-state voltage at maximum rated RMS current  
Specific Test Conditions  
di/dt — Maximum rate-of-change of on-state current; IGT = 200 mA with  
V
≤0.1 µs rise time  
dv/dt — Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated VDRM gate open  
General Notes  
dv/dt(c) — Critical rate-of-rise of commutation voltage at rated VDRM  
and IT(RMS) commutating di/dt = 0.54 rated IT(RMS)/ms; gate  
unenergized  
•
All measurements are made at 60 Hz with a resistive load at an  
ambient temperature of +25 °C unless specified otherwise.  
I2t — RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms  
•
Operating temperature range (TJ) is -65 °C to +125 °C for TO-92,  
-25 °C to +125 °C for Fastpak, and -40 °C to +125 °C for all other  
devices.  
for fusing  
IDRM — Peak off-state current, gate open; VDRM = maximum rated value  
I
GT — DC gate trigger current in specific operating quadrants;  
•
Storage temperature range (TS) is -65 °C to +150 °C for TO-92,  
-40 °C to +150 °C for TO-202, and -40 °C to +125 °C for all other  
devices.  
Lead solder temperature is a maximum of 230 °C for 10 seconds,  
maximum; ≥1/16" (1.59 mm) from case.  
The case temperature (TC) is measured as shown on the dimen-  
sional outline drawings. See “Package Dimensions” section of this  
catalog.  
V
D = 12 V dc  
I
I
I
I
GTM — Peak gate trigger current  
•
•
H — Holding current (DC); gate open  
T(RMS) — RMS on-state current conduction angle of 360°  
TSM — Peak one-cycle surge  
P
G(AV) — Average gate power dissipation  
PGM — Peak gate power dissipation; I ≤ I  
GT  
GTM  
tgt — Gate controlled turn-on time; IGT = 200 mA with 0.1 µs rise time  
http://www.littelfuse.com  
+1 972-580-7777  
E2 - 4  
©2004 Littelfuse, Inc.  
Thyristor Product Catalog  
1234567...10

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与QK015L5TP相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
QK015L5TP56 LITTELFUSE TRIAC

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QK015L5TPV LITTELFUSE TRIAC, 1000V V(DRM), 15A I(T)RMS, TO-220AB, ISOLATED TO-220AB, 3 PIN

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QK015N5 LITTELFUSE Triacs (0.8 A to 35 A)

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QK015N556RP LITTELFUSE Alternistor TRIAC

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QK015N5RP LITTELFUSE TRIAC, 1000V V(DRM), 15A I(T)RMS, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

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QK015N5RP56 LITTELFUSE TRIAC

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