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QH03TZ600

更新时间: 2024-02-15 09:11:43
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帕沃英蒂格盛 - POWERINT 二极管功率因数校正
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7页 112K
描述
600 V, 3 A H-Series PFC Diode

QH03TZ600 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-220AC包装说明:GREEN PACKAGE-2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:14 weeks风险等级:1.79
Samacsys Description:Diodes - General Purpose, Power, Switching H-Series 600V 3A Super-Low Qrr应用:EFFICIENCY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:35 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.0098 µs
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

QH03TZ600 数据手册

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QH03TZ600  
Electrical Specifications at TJ= 25 °C (unless otherwise specified)  
12  
11  
10  
9
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Tj=125C  
8
7
6
5
Tj=25C  
4
3
2
1
0
0
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180  
VF (V)  
VR (V)  
Figure 3. Typical IF vs VF  
Figure 4. Typical Typical Cj vs VR  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
25  
20  
15  
10  
5
dIF/dt=1000A/us  
dIF/dt=200A/us  
dIF/dt=500A/us  
dIF/dt=500A/us  
dIF/dt=1000A/us  
dIF/dt=200A/us  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
IF (A)  
IF (A)  
Figure 5. Typical QRR vs IF at TJ = 125 °C  
Figure 6. Typical tRR vs IF at TJ = 125 °C  
10  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Case Temperature, TC (oC)  
Case Temperature, TC (oC)  
Figure 7. DC Current Derating Curve  
Figure 8. Power Derating Curve  
3
Rev 1.1 01/11  
www.powerint.com  

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