QEB421

更新时间： 2024-09-21 22:25:31

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电
页数	文件大小	规格书
3页	63K
描述
SURFACE MOUNT INFRARED

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QEB421 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PLCC
包装说明：	PLASTIC, LCC-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.6
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.1 A
JESD-609代码：	e3	功能数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	标称输出功率：	10 mW
峰值波长：	880 nm	形状：	ROUND
尺寸：	2.4 mm	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

QEB421 数据手册

QEB421

SURFACE MOUNT INFRARED

LIGHT EMITTING DIODE

PACKAGE DIMENSIONS

0.118 (3.0)

0.102 (2.6)

0.083 (2.1)

0.067 (1.7)

0.091 (2.3)

0.083 (2.1)

0.041 (0.1)

0.035 (0.9)

0.028 (0.7)

0.094 (2.4)

0.134 (3.4)

0.118 (3.0)

FEATURES

SCHEMATIC

0.043 (1.1)

0.020 (0.5)

• Wavelength = 880 nm, AlGaAs

• Wide Emission Angle, 120°

• Surface Mount PLCC-2 Package

• High Power

ANODE

NOTES:

0.024 (0.6)

0.007 (.18)

0.016 (0.4)

CATHODE

0.005 (.12)

1. Dimensions are in inches (mm)

2. Tolerance of .010 (.25) on all non nominal dimensions

unless otherwise specified.

NOTES

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

1. Derate power dissipation linearly

2.4 mW/°C above 25°C.

2. RMA flux is recommended.

3. Methanol or isopropyl alcohols

are recommended as cleaning

agents.

Parameter

Operating Temperature

Storage Temperature

Soldering Temperature (Flow)^(2,3)

Continuous Forward Current

Reverse Voltage

Symbol

T_opr

T_stg

T_sol

I_F

Rating

-55 to +100

260 for 10 sec

100

Unit

°C

4. Pulse conditions; tp = 100 µs,

T = 10 ms.

V_R

Peak Forward Current⁽⁴⁾

Power Dissipation⁽¹⁾

I_FM

1.75

P_D

180

(TA =25°C)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

I_F= 100 mA

SYMBOL

MIN.

TYP.

880

MAX.

—

1.8

3.8

UNITS

Peak Emission Wavelength

Spectral Bandwidth

Emission Angle

D_P

ꢀD

—

I_F= 100 mA

120

1.5

3.0

—

Deg.

Forward Voltage

I_F= 100 mA, tp = 20 ms

I_F= 1 A, tp = 100 µs

V_R= 5 V

V_F

Reverse Current

Radiant Intensity

I_R

µA

I_F= 100 mA, tp = 20 ms

I_F= 1 A, tp = 100 µs

I_F= 100 mA, tp = 20 ms

I_F= 100 mA

—

mW/sr

—

Radiant Flux

T_CI

T_CV

%/K

mV/K

nm/K

µs

Temp. Coeff. of I_E

Temp. Coeff. of V_F

Temp. Coeff. of D

Rise Time

-0.5

-4

I_F= 100 mA

T_C

0.25

—

I_F= 100 mA

t_r

t_f

Fall Time

—

µs

 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300385 2/26/01

1 OF 3

www.fairchildsemi.com

12 3

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QEB421 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VSMF3710-GS08	VISHAY	功能相似	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero
VSML3710-GS08	VISHAY	功能相似	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs

与QEB421相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QEB421.TR	FAIRCHILD	获取价格	Infrared LED, 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm, PLASTIC, LCC-2
QEB421TR	FAIRCHILD	获取价格	Infrared LED, 2.4mm, 1-Element, 880nm, PLASTIC, LCC-2
QEB441	FAIRCHILD	获取价格	SURFACE MOUNT INFRARED LIGHT EMITTING DIODE
QEB441.TR	FAIRCHILD	获取价格	Infrared LED, 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 730 nm, PLASTIC, LCC-2
QEB441TR	FAIRCHILD	获取价格	Surface Mount Infrared Light Emitting Diode, PLCC-2 LED, 2000/TAPE REEL
QEB50	P-DUKE	获取价格	50 WATTS DC-DC CONVERTER
QEB50-24S05	P-DUKE	获取价格	50 WATTS MAXIMUM OUTPUT POWER
QEB50-24S12	P-DUKE	获取价格	50 WATTS MAXIMUM OUTPUT POWER
QEB50-24S15	P-DUKE	获取价格	50 WATTS MAXIMUM OUTPUT POWER
QEB50-24S3P3	P-DUKE	获取价格	50 WATTS MAXIMUM OUTPUT POWER

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