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Q62703-F106

更新时间： 2024-02-06 05:56:37

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描述
GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)

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Q62703-F106 数据手册

GaAs FET

CFY 25

● Low noise

● High gain

● For front-end amplifiers

● lon-implanted planar structure

● All gold metallization

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Package¹⁾

Micro-X

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

CFY 25-17

CFY 25-20

CFY 25-23

C 5

C 6

C 7

Q62703-F106

Q62703-F107

Q62703-F108

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current

– 5 … + 0

˚C

Total power dissipation, T^S≤ 56 ˚C²⁾

Channel temperature

Storage temperature range

tot

250

150

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Channel - soldering point²⁾

Rth chS

375

K/W

For detailed information see chapter Package Outlines.

TS is measured on the source lead at the soldering point to the pcb.

07.94

Semiconductor Group

12 3 4 5 6

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