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PZTA43TRL

更新时间: 2024-10-01 15:48:43
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恩智浦 - NXP 高压光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
TRANSISTOR 0.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

PZTA43TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

PZTA43TRL 数据手册

  

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Package / Case : SOT-223;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 1.0 W;Transistor Polarity