是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | PGA, PGA66,11X11 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | IT ALSO CONFIGURED AS 128K X 8; LG-MAX; WD-MAX | 备用内存宽度: | 16 |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-CPGA-P66 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 27.69 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX32 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA66,11X11 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 8.13 mm |
最大待机电流: | 0.24 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.32 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 27.69 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 3 ms | 写保护: | SOFTWARE |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
PUMA2E1000I-15 | MOSAIC | EEPROM Module, 32KX32, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA66, CERAMIC, PGA-66 |
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PUMA2E1000I-20 | ETC | x32 EEPROM Module |
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PUMA2E1000I-25 | MOSAIC | EEPROM Module, 32KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CPGA66, CERAMIC, PGA-66 |
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PUMA2E1000I-70 | MOSAIC | EEPROM Module, 32KX32, 70ns, Parallel, CMOS, CPGA66, CERAMIC, PGA-66 |
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PUMA2E1000I-70/X405 | ETC | x32 EEPROM Module |
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PUMA2E1000I-90 | MOSAIC | EEPROM Module, 32KX32, 90ns, Parallel, CMOS, CPGA66, CERAMIC, PGA-66 |
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