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PUA3219P

更新时间： 2024-02-19 21:31:42

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松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SIP-8

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PUA3219P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSIP-T8
元件数量：	3	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

PUA3219P 数据手册

Power Transistor Arrays

PUA3219 (PU3219)

Silicon PNP epitaxial planar type darlington

For power amplification

Complementary to PUA3119 (PU3119)

Unit: mm

20.2 0.3

4.0 0.2

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

• High-speed switching

• PNP 3 elements

0.8 0.25

0.5 0.15

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.5 0.15

1.0 ^0.25

2.54 0.2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

−60

7 × 2.57 = 17.78 0.25

−5

C 1.5 0.5

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

−2

2 3 4 5 6 7 8

Peak collector current

I_CP

−4

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

7: Collector

8: Emitter

2.4

SIP8-A1 Package

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_BE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Base-emitter voltage

I_C= −30 mA, I_B= 0

−60

V_CE= −4 V, I_C= −2 A

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CE= −30 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−2.8

−1

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_CBO



I_CEO

−2

I_EBO

−2

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −2 A

1000

h_FE2

10000

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −2 A, I_B= −8 mA

−2.5

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= −2 A

0.4

1.5

0.5

Storage time

I_B1= −8 mA, I_B2= 8 mA

V_CC= −50 V

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

Free

h_FE

1000 to 10 000 2000 to 10000 1000 to 5000

■ Internal Connection

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00027AED

12 3

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