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PUA3220P

更新时间： 2024-09-17 19:35:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	200K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SIP-8

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PUA3220P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	COMPLEX	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T8	元件数量：	3
端子数量：	8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

PUA3220P 数据手册

Power Transistor Arrays

PUA3220 (PU3220)

Silicon PNP epitaxial planar type darlington

For power amplification

Complementary to PUA3120 (PU3120)

Unit: mm

20.2 0.3

4.0 0.2

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

• High-speed switching

• PNP 3 elements

0.8 0.25

0.5 0.15

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.5 0.15

1.0 ^0.25

2.54 0.2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

−60

7 × 2.57 = 17.78 0.25

−5

C 1.5 0.5

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

−4

2 3 4 5 6 7 8

Peak collector current

I_CP

−8

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

7: Collector

8: Emitter

2.4

SIP8-A1 Package

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_BE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Base-emitter voltage

I_C= −30 mA, I_B= 0

−60

V_CE= −3 V, I_C= −3 A

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CE= −30 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−2.5

−200

−500

−2

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_CBO

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE1

V_CE= −3 V, I_C= − 0.5 A

V_CE= −3 V, I_C= −3 A

1000

h_FE2

10000

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= −12 mA

−2.0

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= −3 sA

0.3

2.0

0.5

Storage time

I_B1= −12 mA, I_B2= 12 mA

V_CC= −50 V

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

Free

h_FE

1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000

■ Internal Connection

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00028AED

12 3

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