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Datasheet > 电源电路 > 开关式稳压器或控制器> PT78HT205V
PT78HT205V PDF预览

PT78HT205V

更新时间： 2024-11-18 22:24:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 稳压器开关放大器
页数 文件大小 规格书
4页 69K
描述
2 AMP POSITIVE STEP-DOWN INTEGRATED SWITCHING REGULATOR

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PT78HT205V 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：, SIP3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.72
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR控制模式：VOLTAGE-MODE
最大输入电压：28 V最小输入电压：9 V
标称输入电压：12 VJESD-30 代码：R-XSMA-T3
功能数量：1端子数量：3
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装等效代码：SIP3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified子类别：Switching Regulator or Controllers
表面贴装：NO切换器配置：BUCK
最大切换频率：800 kHz技术：HYBRID
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PT78HT205V 数据手册

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APT10088HVR  
1000V 11A 0.880Ω  
POWER MOS V®  
TO-258  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
D
S
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• 100% Avalanche Tested  
• Popular TO-258 Package  
G
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT10088HVR  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
1000  
11  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
44  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
Watts  
250  
PD  
2.0  
W/°C  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
11  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
1300  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
1000  
11  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
0.880  
25  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
µA  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
250  
±100  
4
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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