Sirectifier Global Corp. 更新时间:2021-12-30 22:38:12
Sirect Semiconductors Inc.成立于2002年,总注册资本超过800万美元,核心技术和团队来自欧美及台湾的功率半导体行业。主要从事高功率密度表面贴装器件和功率封装功率器件的研发和制造,包括肖特基势垒二极管(SBD)、超快恢复二极管、电流调节二极管(CRD)、瞬态电压抑制器(TVS)、齐纳二极管、标准整流二极管、创新桥式整流元件和各种整流电源模块。长期与美国、法国功率半导体行业进行技术合作与交流,以电力电子领域的功率半导体为主要研发方向,特别关注肖特基势垒高效节能的二极管。目前已拥有数十项国内外投资及实用新型专利,并以自主品牌进入市场十余年。在持续保持销售规模增长的情况下,公司逐步发展成为专业的跨国功率半导体设计制造商。近年来,先后投资下游封测产业,完成多项专利产品的开发与量产,积极从事第三代宽禁带功率半导体的封测业务。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
SG7N06P | SIRECT | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
SG45N12T | SIRECT | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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双极性晶体管 | Discrete IGBTs | |
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二极管 | Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules | |
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二极管 | Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules | |
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