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SG23N06T

更新时间: 2022-12-20 11:27:01
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SIRECT 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Discrete IGBTs

SG23N06T 数据手册

 浏览型号SG23N06T的Datasheet PDF文件第2页 
SG23N06T, SG23N06DT  
Discrete IGBTs  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max. Min.  
Inches  
Max.  
Dimensions TO-247AD  
A
B
19.81 20.32 0.780 0.800  
20.80 21.46 0.819 0.845  
C
D
15.75 16.26 0.610 0.640  
3.55 3.65 0.140 0.144  
E
C
G
G=Gate, C=Collector,  
C(TAB)  
E=Emitter,TAB=Collector  
E
F
4.32 5.49 0.170 0.216  
5.4  
6.2 0.212 0.244  
G
H
1.65 2.13 0.065 0.084  
-
4.5  
-
0.177  
J
1.0  
1.4 0.040 0.055  
K
10.8 11.0 0.426 0.433  
L
M
4.7  
0.4  
5.3 0.185 0.209  
0.8 0.016 0.031  
SG23N06DT  
SG23N06T  
N
1.5 2.49 0.087 0.102  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Unit  
VCES  
VCGR  
TJ=25oC to 150oC  
600  
600  
V
TJ=25oC to 150oC; RGE=1 M ;  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
A
IC25  
IC90  
ICM  
TC=25oC  
48  
23  
96  
TC=90oC  
TC=25oC, 1 ms  
VGE=15V; TVJ=125oC; RG=22  
ICM=48  
@ 0.8 VCES  
SSOA  
(RBSOA)  
A
Clamped inductive load; L=100uH  
PC  
TC=25oC  
150  
W
-55...+150  
150  
-55...+150  
TJ  
TJM  
Tstg  
oC  
oC  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s  
300  
Md  
Mounting torque  
1.13/10  
6
Nm/Ib.in.  
g
Weight  
(T  
J
=25o  
C, unless otherwise specified)  
Characteristic Values  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
min.  
typ.  
max.  
BVCES  
I
I
C
=250uA; VGE=0V  
=250uA; VCE=VGE  
600  
2.5  
V
V
V
GE(th)  
C
5.0  
200  
1
I
CES  
V
V
V
CE=0.8VCES  
;
T
J
J
=25o  
=150o  
C
uA  
mA  
nA  
V
GE=0V;  
T
C
I
GES  
CE=0V; VGE=±20V  
=IC90; VGE=15V  
±100  
2.5  
2.1  
V
CE(sat)  
I
C

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