MICRON TECHNOLOGY (镁光) 更新时间:2022-03-25 19:21:59
Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来,它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂,也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位,在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site,Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂,主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里,上海R&D中心已经独立生产了几代产品,现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片,我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
MT48H8M32LFBF-75LG | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM | |
MT48H8M32LFBF-75LITG | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM | |
MT48H8M32LFBF-8G | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM | |
MT48H8M32LFBF-8ITG | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM | |
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动态存储器 | 256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM | |
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动态存储器 | 256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM | |
MT58L128L32F1 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L128L36F1 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L128V32F1 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L128V36F1 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L256L18F1 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L256L32F | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L256L32P | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L256L36P | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM | |
MT58L256V18F1 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM | |
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静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM | |
MT58L512V18P | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM | |
MT28F322D20FH-80TET | MICRON | 获取价格 | ![]() |
FLASH MEMORY | ||
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闪存内存集成电路 | FLASH MEMORY | |
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