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MT28F322D20FH-804TET

更新时间： 2024-02-19 14:45:23
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 519K
描述
FLASH MEMORY

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MT28F322D20FH-804TET 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA58,8X11,30针数：58
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：20 ns
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B58JESD-609代码：e1
长度：12 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,63
端子数量：58字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA58,8X11,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：8 words并行/串行：PARALLEL
电源：2 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K,32K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：7 mmBase Number Matches：1

MT28F322D20FH-804TET 数据手册

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2 MEG x 16  
ASYNC/PAGE/BURST FLASH MEMORY  
MT28F322D20  
MT28F322D18  
FLASH MEMORY  
Low Voltage, Extended Temperature  
0.18µm Process Technology  
FEATURES  
• Flexible dual-bank architecture  
– Support for true concurrent operation with zero  
latency  
BALL ASSIGNMENT  
58-Ball FBGA  
– Read bank a during program bank b and vice versa  
– Read bank a during erase bank b and vice versa  
• Basic configuration:  
1
2
3
4
5
6
7
8
Seventy-one erasable blocks  
– Bank a (8Mb for data storage)  
– Bank b (24Mb for program storage)  
• VCC, VCCQ, VPP voltages  
A11  
A8  
V
SS  
V
CC  
V
PP  
A18  
A6  
A4  
A
B
C
D
E
A12  
A13  
A15  
A9  
A20  
CLK  
ADV#  
A16  
RST#  
WE#  
DQ12  
DQ2  
A17  
A19  
WP#  
DQ1  
DQ9  
A5  
A7  
A3  
A2  
A10  
– 1.70V (MIN), 1.90V (MAX) VCC, VCCQ  
(MT28F322D18 only)  
WAIT#  
DQ6  
A14  
A1  
– 1.80V VCC, VCCQ (MIN); 2.20V VCC (MAX)and 2.25V  
VCCQ (MAX) (MT28F322D20 only)  
– 0.9V (TYP) VPP (in-system PROGRAM/ERASE)  
– 12V 5ꢀ (ꢁV) VPP tolerant (factory programming  
compatibility)  
V
CCQ  
DQ15  
DQ14  
CE#  
DQ0  
DQ8  
A0  
DQ4  
DQ13  
DQ5  
V
SS  
DQ10  
DQ3  
OE#  
F
DQ11  
DQ7  
V
SSQ  
VCCQ  
VSSQ  
G
VCC  
• Random access time: 70ns/80ns @ 1.70V VCC  
• Burst Mode read access (MT28F322D20)  
– MAX clock rate: 54 Mꢁz (tCLK = 18.5ns)  
– Burst latency: 70ns @ 1.80V VCC and 54 Mꢁz  
– tACLK: 17ns @ 1.80V VCC and 54 Mꢁz  
• Page Mode read access1  
Top View  
(Ball Down)  
NOTE: See page 7 for Ball Description Table.  
– Eight-word page  
See page 43 for mechanical drawing.  
– Interpage read access: 70ns/80ns @ 1.80V  
– Intrapage read access: 30ns @ 1.80V  
• Low power consumption (VCC = 2.20V)  
– Asynchronous READ < 15mA (MAX)  
– Standby < 50µA  
– Automatic power saving feature (APS)  
• Enhanced write and erase suspend options  
– ERASE-SUSPEND-to-READ within same bank  
– PROGRAM-SUSPEND-to-READ within same bank  
– ERASE-SUSPEND-to-PROGRAM within same bank  
• Dual 64-bit chip protection registers for security  
purposes  
OPTIONS  
MARKING  
• Timing  
70ns access  
80ns access  
• Frequency  
54 MHz  
40 MHz  
No burst operation  
• Boot Block Configuration  
Top  
Bottom  
• Package  
58-ball FBGA (8 x 7 ball grid)  
• Operating Temperature Range  
Extended (-40ºC to +85ºC)  
-70  
-80  
52  
4
None  
T
B
• Cross-compatible command support  
– Extended command set  
– Common flash interface  
• PROGRAM/ERASE cycle  
FH  
ET  
– 100,000 WRITE/ERASE cycles per block  
NOTE: 1. Data based on MT28F322D20 device.  
2. A “5” in the part mark represents two different  
frequencies: 54 Mꢁz (MT28F322D20) or 52 Mꢁz  
(MT28F322D18)  
Part Number Example:  
MT28F322D20FH-804 BET  
2 Meg x 16 Async/Page/Burst Flash Memory  
MT28F322D20FH_4.p65 – Rev. 4, Pub. 7/02  
©2002, Micron Technology, Inc.  
1
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.  
1234567...44

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