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Chendahang Electronics Co., Ltd (辰达行) 更新时间：2025-04-29 20:44:46

深圳辰达行电子有限公司是一家专业研发、生产二极管、桥式整流器的半导体企业。公司总部位于广东深圳，厂区位于江苏常州，厂区占地24亩，建筑面积20000平方，现有员工300余人，年产销二极管、整流桥总量约50亿只。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系，通过了ISO9001：2008质量管理体系、IS014001环境管理体系认证;产品获得UL，SGS等认证，符合最新RoHS指令,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司自创建以来，高品质的“MDD品牌”产品得到广大客户的信赖与支持。工厂致力于二极管晶圆芯片研发及生产，主要生产整流二极管扩散片、普通及快恢复、瞬变抑制GPP芯片等产品；生产和封装普通整流、快恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等类别，封装有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、KBL、KBU、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6等。可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务，并可以提供满足客户需求的无卤素产品。展望未来，我们将继续推行“以质为先精益求精持续创新客户满意”的品质政策，与社会各界开展通力合作，竭诚为新老客户提供优质产品和完美服务。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

BZX84C4V3	MDD	获取价格		光电二极管	最大耗散功率（PD）:500mW;反向电流（Ir）:3μA@1V;额定稳压值(Vz):4.

KBJ608	MDD	获取价格			元器件封装:KBJ;最小击穿电压（VRRM）:800V;最大输出电流（Io）:6A;正向浪

SS56BF-S56B	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:60V;平均整流电流（Io）:5A;正向压降（Vf）:700mV@5

SS510BF-S510B	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:5A;正向压降（Vf）:850mV@

SS54BF	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:5A;正向压降（Vf）:550mV@5

MMBD4148A	MDD	获取价格			工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:

MMBD4148CA	MDD	获取价格			工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:

MMBD4148SE	MDD	获取价格			工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:

MMBD4148CC	MDD	获取价格			工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流（Io）:200mA;反向恢复时间（trr）:

ES3GC	MDD	获取价格			工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流（Io）:3

ES3JC	MDD	获取价格			工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流（Io）:3

SL1045U	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:45V;平均整流电流（Io）:10A;正向压降（Vf）:460mV@

US1GF	MDD	获取价格			工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流（Io）:1

US1MF	MDD	获取价格			工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流（Io）:1

RL207	MDD	获取价格			平均整流电流（Io）:2A;正向压降（Vf）:1.1V@2A;最大反向电流(Ir):5μA

2SC1815	MDD	获取价格

KBPC608	MDD	获取价格			元器件封装:BR-6;最小击穿电压（VRRM）:800V;最大输出电流（Io）:3A;正向

KBPC610	MDD	获取价格			最小击穿电压（VRRM）:1kV;最大输出电流（Io）:3A;正向浪涌电流（IFSM）:1

KBP307	MDD	获取价格			最小击穿电压（VRRM）:600V;最大输出电流（Io）:3A;正向浪涌电流（IFSM）:

KBL610	MDD	获取价格			元器件封装:KBL;最小击穿电压（VRRM）:1kV;最大输出电流（Io）:6A;正向浪涌

RS3GC	MDD	获取价格

KBU1510	MDD	获取价格			最小击穿电压（VRRM）:1kV;最大输出电流（Io）:15A;正向浪涌电流（IFSM）:

DSK22 K22	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:20V;平均整流电流（Io）:2A;正向压降（Vf）:550mV 2

DSK24 K24	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:40V;平均整流电流（Io）:2A;正向压降（Vf）:550mV 2

DSK120-K120	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:200V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:950mV@

DSK12 K12	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:20V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:550mV@1

DSK110 K110	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:110V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:850mV

DB207	MDD	获取价格			最小击穿电压（VRRM）:1kV;最大输出电流（Io）:2A;正向浪涌电流（IFSM）:6

DB157	MDD	获取价格			最小击穿电压（VRRM）:1kV;最大输出电流（Io）:1.5A;正向浪涌电流（IFSM）

78L05	MDD	获取价格			最大输入耐压(V):20V;通道数:1;元器件封装:SOT-89;