Chendahang Electronics Co., Ltd (辰达行) 更新时间:2025-04-29 20:10:04
深圳辰达行电子有限公司是一家专业研发、生产二极管、桥式整流器的半导体企业。公司总部位于广东深圳,厂区位于江苏常州,厂区占地24亩,建筑面积20000平方,现有员工300余人,年产销二极管、整流桥总量约50亿只。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,通过了ISO9001:2008质量管理体系、IS014001环境管理体系认证;产品获得UL,SGS等认证,符合最新RoHS指令,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。 公司自创建以来,高品质的“MDD品牌”产品得到广大客户的信赖与支持。工厂致力于二极管晶圆芯片研发及生产,主要生产整流二极管扩散片、普通及快恢复、瞬变抑制GPP芯片等产品;生产和封装普通整流、快恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等类别,封装有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、KBL、KBU、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6等。可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务,并可以提供满足客户需求的无卤素产品。 展望未来,我们将继续推行“以质为先 精益求精 持续创新 客户满意”的品质政策,与社会各界开展通力合作,竭诚为新老客户提供优质产品和完美服务。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
SS34B | MDD | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:DO-214; | ||
SS36F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):700mV@3 | ||
SS34F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3 | ||
SS310F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):850mV | ||
SS3200B | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@ | ||
SS26F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):700mV@2 | ||
SS24F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):550mV 2 | ||
SS210F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):850mV | ||
SS14F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):550mV@1 | ||
SS16F | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):700mV@1 | ||
SR3100 | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):850mV | ||
SR560 | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):700mV 5 | ||
SR5100 | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):850mV | ||
SR5200 编带 | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):950mV@ | ||
SR2100 | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):850mV | ||
SOD1H3 U3 | MDD | 获取价格 | ![]() |
工作温度:+150℃ (Tj);反向峰值电压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A | ||
TT6MF | MDD | 获取价格 | ![]() |
最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):6A;正向浪涌电流(IFSM):2 | ||
TTR6MF | MDD | 获取价格 | ![]() |
最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):6A;正向浪涌电流(IFSM):2 | ||
SI2305 | MDD | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23; | ||
SI2300 | MDD | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):6.2A;最大导通阻抗Ron(mΩ): | |
SI2301 | MDD | 获取价格 | ![]() |
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SI2302S | MDD | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):2.3A;最大导通阻抗Ron(mΩ): | |
SMF190A | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压VRWM(V):190V -; | ||
GBJ5010 | MDD | 获取价格 | ![]() |
最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):50A;正向浪涌电流(IFSM): | ||
SM12 | MDD | 获取价格 | ![]() |
脉冲 | 反向峰值电压VRWM(V):12V -;最小反向击穿电压VBR(V):13.3V;最大钳位 | |
SM15 | MDD | 获取价格 | ![]() |
脉冲 | 反向峰值电压VRWM(V):15V -;最小反向击穿电压VBR(V):16.7V;最大钳位 | |
SM03 | MDD | 获取价格 | ![]() |
最小反向击穿电压VBR(V):4V;最大钳位电压Vc(V):14V;元器件封装:SOT-2 | ||
US2MF | MDD | 获取价格 | ![]() |
工作温度:+150℃ (Tj);反向峰值电压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A; | ||
US1D | MDD | 获取价格 | ![]() |
工作温度:+150℃ (Tj);反向峰值电压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A | ||
SR540 | MDD | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):;平均整流电流(Io):5A;浪涌峰值电流(Ifsm):;正向压降( |
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