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Chendahang Electronics Co., Ltd (辰达行) 更新时间：2025-04-29 20:47:18

深圳辰达行电子有限公司是一家专业研发、生产二极管、桥式整流器的半导体企业。公司总部位于广东深圳，厂区位于江苏常州，厂区占地24亩，建筑面积20000平方，现有员工300余人，年产销二极管、整流桥总量约50亿只。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系，通过了ISO9001：2008质量管理体系、IS014001环境管理体系认证;产品获得UL，SGS等认证，符合最新RoHS指令,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司自创建以来，高品质的“MDD品牌”产品得到广大客户的信赖与支持。工厂致力于二极管晶圆芯片研发及生产，主要生产整流二极管扩散片、普通及快恢复、瞬变抑制GPP芯片等产品；生产和封装普通整流、快恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等类别，封装有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、KBL、KBU、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6等。可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务，并可以提供满足客户需求的无卤素产品。展望未来，我们将继续推行“以质为先精益求精持续创新客户满意”的品质政策，与社会各界开展通力合作，竭诚为新老客户提供优质产品和完美服务。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

RS2G-SMBG	MDD	获取价格			工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流（Io）:2

ST10100	MDD	获取价格			元器件封装:TO-277;

BZT52C4V7S-W7	MDD	获取价格		光电二极管	最大耗散功率（PD）:200mW;反向电流（Ir）:3μA@2V;额定稳压值(Vz):4.

1SMA4728A-MDD	MDD	获取价格		光电二极管	最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100μA@1V;额定稳压值(Vz):3.3

DB307S	MDD	获取价格			元器件封装:DBS;

ST36	MDD	获取价格			元器件封装:SMA;

S3MBF	MDD	获取价格			元器件封装:SMBF;

GBU1006	MDD	获取价格			元器件封装:GBU;最小击穿电压（VRRM）:600V;最大输出电流（Io）:10A;正向

MBR30100CT	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:30A;正向压降（Vf）:850mV

BAW56	MDD	获取价格			元器件封装:SOT-23;

ES2BF-SMAF	MDD	获取价格			工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流（Io）:2

MBR10200CT	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:200V;平均整流电流（Io）:5A;正向压降（Vf）:910mV@

MBRF2060CT	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:60V;平均整流电流（Io）:20A;正向压降（Vf）:750mV@

MBRF20100CT	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:100V;平均整流电流（Io）:20A;正向压降（Vf）:850mV

MBRF2045CT	MDD	获取价格			元器件封装:ITO-220AB;

MBR2060CT	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:60V;平均整流电流（Io）:20A;正向压降（Vf）:750mV@

RS3JB	MDD	获取价格			工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流（Io）:3

GBU1010	MDD	获取价格			元器件封装:GBU;最小击穿电压（VRRM）:1kV;最大输出电流（Io）:10A;正向浪

MBRF20150CT	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:150V;平均整流电流（Io）:10A;正向压降（Vf）:900mV

MBRF20200CT	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:200V;平均整流电流（Io）:20A;正向压降（Vf）:950mV

KMB14F	MDD	获取价格			元器件封装:MBF;最小击穿电压（VRRM）:40V;最大输出电流（Io）:1A;正向浪涌

SD103AWT	MDD	获取价格			工作温度:-65℃~+125℃@(Tj);平均整流电流（Io）:300mA;反向恢复时间（

BZT52C9V1S-WE	MDD	获取价格		光电二极管	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:200mW;反向电流（Ir）:500nA@6V;额

BZT52C8V2S-WD	MDD	获取价格		光电二极管	最大耗散功率（PD）:200mW;反向电流（Ir）:500nA@5V;额定稳压值(Vz):

BZT52C3V0S-W2	MDD	获取价格		光电二极管	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:200mW;反向电流（Ir）:50μA@1V;额定

BZT52C7V5S-WC	MDD	获取价格		光电二极管	最大耗散功率（PD）:200mW;反向电流（Ir）:500nA@4V;额定稳压值(Vz):

ES3JB	MDD	获取价格			工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流（Io）:3

B5817W-SJ	MDD	获取价格			反向峰值电压（Vr）:20V;平均整流电流（Io）:1A;正向压降（Vf）:450mV@1

GBU410	MDD	获取价格			元器件封装:GBU;最小击穿电压（VRRM）:1kV;最大输出电流（Io）:4A;正向浪涌

GBU406	MDD	获取价格			元器件封装:GBU;最小击穿电压（VRRM）:600V;最大输出电流（Io）:4A;正向浪