Chendahang Electronics Co., Ltd

Chendahang Electronics Co., Ltd (辰达行) 更新时间:2025-04-29 20:50:21

深圳辰达行电子有限公司是一家专业研发、生产二极管、桥式整流器的半导体企业。公司总部位于广东深圳,厂区位于江苏常州,厂区占地24亩,建筑面积20000平方,现有员工300余人,年产销二极管、整流桥总量约50亿只。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,通过了ISO9001:2008质量管理体系、IS014001环境管理体系认证;产品获得UL,SGS等认证,符合最新RoHS指令,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。 公司自创建以来,高品质的“MDD品牌”产品得到广大客户的信赖与支持。工厂致力于二极管晶圆芯片研发及生产,主要生产整流二极管扩散片、普通及快恢复、瞬变抑制GPP芯片等产品;生产和封装普通整流、快恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等类别,封装有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、KBL、KBU、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6等。可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务,并可以提供满足客户需求的无卤素产品。 展望未来,我们将继续推行“以质为先 精益求精 持续创新 客户满意”的品质政策,与社会各界开展通力合作,竭诚为新老客户提供优质产品和完美服务。

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型号 品牌 价格 文档 应用 描述
MBR1045CT MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):45V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):840mV@
US2JB MDD 获取价格 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):2
KBP410 MDD 获取价格 元器件封装:KBP;最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):4A;正向浪涌
R3000F MDD 获取价格 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-65℃;平均整流电流(Io):2
BZT52B24S MDD 获取价格 光电二极管 稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):300mW;反向电流(Ir):100nA@19V;
1SS355 MDD 获取价格 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):1
RS2MB MDD 获取价格 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):2
1A7 MDD 获取价格 平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;最大反向电流(Ir):5μA
MBR10100CT MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):700mV@
MBR1060CT MDD 获取价格 元器件封装:TO-220AB;
MBRF10100CT MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):850mV
MBRF1060CT MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):750mV@
MBRF10200CT MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):910mV@
MBR10150CT MDD 获取价格 元器件封装:TO-220AB;
MBR20150CT MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):150V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):900mV
ST310 MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):600mV@
RS2JB MDD 获取价格 工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流(Io):2
MMSZ5230B MDD 获取价格 光电二极管 稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):500mW;反向电流(Ir):5μA@2V;额定稳
SK106B MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):650mV@
GBJ3510 MDD 获取价格 元器件封装:GBJ;最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):35A;正向浪
ES5JC MDD 获取价格 工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-50℃;平均整流电流(Io):5
US5MC MDD 获取价格 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):5
SS310BF MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):850mV@
SS34BF MDD 获取价格 反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3
KBU806 MDD 获取价格 元器件封装:KBU;最小击穿电压(VRRM):600V;最大输出电流(Io):8A;正向浪
KBU810 MDD 获取价格 元器件封装:KBU;最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):8A;正向浪涌
DB157S--Tube MDD 获取价格 元器件封装:DBS;最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):1.5A;正向
RS1G MDD 获取价格 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):1
FR307 MDD 获取价格 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-65℃;平均整流电流(Io):3
KBU1010 MDD 获取价格 元器件封装:KBU;最小击穿电压(VRRM):1kV;最大输出电流(Io):10A;正向浪
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