HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 更新时间:2023-11-16 21:46:14
Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工). 海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
HY27SF081G2M-VPIB | HYNIX | 获取价格 | 闪存 | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | ||
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HY6264-70 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 8KX8-Bit CMOS SRAM | ||
HY51V18163HGT-5 | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 1M x 16Bit EDO DRAM | ||
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HY51V18163HGJ-7 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 1M x 16Bit EDO DRAM | ||
HY51V18163HGJ-6 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 1M x 16Bit EDO DRAM | ||
HY51V18163HGJ-5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 1M x 16Bit EDO DRAM | ||
HY51V18163HGJ | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 1M x 16Bit EDO DRAM | ||
GM71CS17403CL-7 | HYNIX | 获取价格 | 4,194,304 WORDS x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM | |||
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HMS39C7092 | HYNIX | 获取价格 | 闪存微控制器和处理器外围集成电路 | Embedded Flash MCU | ||
HY62UT08081E-DTI | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 32Kx8bit CMOS SRAM | ||
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HY62UT08081E-DPI | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 32Kx8bit CMOS SRAM | ||
HY62UT08081E-DPE | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 32Kx8bit CMOS SRAM | ||
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HY62UT08081E-DGE | HYNIX | 获取价格 | 存储静态存储器 | 32Kx8bit CMOS SRAM | ||
HY62UT08081E-DGC | HYNIX | 获取价格 | 存储静态存储器 | 32Kx8bit CMOS SRAM |
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