FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间：2022-01-19 13:29:59
富士电机自1923年成立以来，在这100年的漫长历史中，不断革新能源和环境技术，在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久，可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。 如今的国际社会中，在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时，我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模，每年保持快速增长的中国，也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。 富士电机（中国）依托创业以来积累的技术和经验，追求电力、热能技术的革新，通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品，为中国社会的发展贡献自身的力量。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| P6KE7.5A | FUJI | 获取价格 |  |
二极管 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
| P6KE7.5 | FUJI | 获取价格 | |
二极管 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
| P6KE82A | FUJI | 获取价格 | |
二极管局域网 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
| P6KE82 | FUJI | 获取价格 | |
二极管局域网 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
| P6KE8.2A | FUJI | 获取价格 | |
二极管 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
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二极管 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
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二极管 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
| P6KE91 | FUJI | 获取价格 | |
二极管局域网 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
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二极管 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
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二极管 | 600 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes | |
| 2SK3875-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series | |
| 2SK3773-01MR | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3772-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3771-01MR | FUJI | 获取价格 | |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | ||
| 2SK3727-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3691-01MR | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3686-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3682-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3680-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3677-01MR | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3674-01SJ | FUJI | 获取价格 | |
Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification | ||
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 | Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification | |
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification | |
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Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification | ||
| 2SK3673-01MR | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK3651-01R | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | ||
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | ||
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