ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间:2023-11-16 17:25:06
晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
M12L64164A-7BIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A-6TIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A-6TA | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A-6BIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A-5TIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A-5BIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A_1 | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A_09 | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L64164A_0712 | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L32321A-7BG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32321A-6BG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32321A-5.5BG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32321A | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A-7TVG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A-7BVG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A-6TG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A-6BG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A-5.5TG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A-5.5BG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A_09 | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L32162A_0712 | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L2561616A-7TIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L2561616A-7BIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L2561616A-6TIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L2561616A-6BIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路动态存储器 | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L2561616A_1 | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L2561616A_08 | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
M12L16161A-8T | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L16161A-7TIG | ESMT | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM | |
M12L16161A-7T | ESMT | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 热门型号