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M12L32162A-7BVG

更新时间: 2024-02-16 08:03:59
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晶豪 - ESMT 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
28页 688K
描述
1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

M12L32162A-7BVG 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.44
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:105 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M12L32162A-7BVG 数据手册

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ESMT  
M12L32162A  
Operation Temperature Condition -40°C~105°C  
Revision History  
Revision 1.0 (Jul. 11 2007)  
- Original  
Revision 1.1 (Jul. 25 2007)  
- Support CAS Latency = 1  
Revision 1.2 (Dec. 26 2007)  
- Modify part no.  
- Modify tSH from 1ns to 2ns  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Dec. 2007  
Revision : 1.2  
1/28  

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