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ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION 更新时间：2023-10-26 10:13:59

Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM：包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造，最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术，几乎没有静态功率消耗。DRAM：包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术：Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、海量存储等领域。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

AS7C332MNTD18A-133TQCN	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 2M x 18 Pipelined SRAM with NTD

AS7C332MFT18A-85TQIN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-85TQI	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-85TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-85TQC	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-75TQIN	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-75TQI	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-75TQCN	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

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AS7C332MFT18A-10TQIN	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-10TQI	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C33256PFS36A-166TQI	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM

AS7C33256PFS36A-166TQCN	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM

AS7C33256PFS36A-166TQC	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM

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AS7C33256PFS18B-200TQIN	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 256K X 18 pipeline burst synchronous SRAM

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AS7C33256PFS18B	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 256K X 18 pipeline burst synchronous SRAM