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PNM723T703E0-2

更新时间： 2022-06-13 07:59:44

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充电MOS管

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PNM723T703E0-2 数据手册

PNM723T703E0-2

N-Channel MOSFET

Description

PNM723T703E0-2 is designed for high speed switching applications

The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.

D（3）

MOSFET Product Summary

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

V_GS(th)(V)

1 to 2.0

I_D(A)

0.18

G（1）

3.5@ V_GS=10V

S（2）

Electrical characteristics per line@25℃( unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max. Units

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage Current

Gate Threshold Voltage

V_DSS

I_DSS

I_GSS

I_D=10μA,V_GS=0V

V_DS=40V,V_GS=0V

V_DS=0V,V_GS=±20V

V_DS=V_GS, I_D=250μA

V_GS=5V, I_D=0.05A

V_GS=10V, I_D=0.5A,

μA

0.5

±1

V_GS(th)

4.5

Ω

Static Drain-Source On-Resistance

R_DS(ON)

Ω

DYNAMIC PARAMETERS

Input Capacitance

Output Capacitance

C_ISS

C_DSS

C_RSS

_GS=0V, V_DS=25V,

f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING PARAMETERS

V_DS=30V, V_GS=10V,

R_G=25Ω, R_L=150Ω

I_D=0.2A

Turn-On DelayTime

Turn-Off DelayTime

t_d(on)

t_d(off)

Rev.06

www.prisemi.com

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