PN4416A

更新时间： 2024-02-16 04:53:51

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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描述
N-channel field-effect transistor

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PN4416A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	35 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	0.8 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PN4416A 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

N-channel ﬁeld-effect transistor

PN4416; PN4416A

MRC159

MRC162

100

handbook, halfpage

–g , –b

, –b

(mS)

–b

–g

0.1

–b

0.01

0.1

0.001

100

1000

100

1000

f (MHz)

V_DS= 15 V; V_GS= 0; T_amb= 25 °C.

Fig.12 Common source transfer conductance;

typical values.

Fig.13 Common source feedback conductance;

typical values.

SPICE parameters for PN4416

September 1992; version 1.0.

VTO = −3.553

BETA = 792.6

LAMBDA = 18.46

RD = 7.671

MRC161

100

µA/V²

m/V

Ω

handbook, halfpage

, b

os os

(mS)

RS = 7.671

Ω

IS = 333.4

CGSO = 2.920

CGDO = 2.261

PB = 1.090

0.1

0.01

10 (note 1)

FC = 500.0

Note

1. Parameter not extracted; default value.

100

1000

f (MHz)

V_DS= 15 V; V_GS= 0; T_amb= 25 °C.

Fig.14 Common source output conductance;

typical values.

December 1997

1...4 5 678 9

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