PN2907A

更新时间： 2024-09-30 22:44:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	98K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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PN2907A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	100 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

PN2907A 数据手册

PN2907A

MMBT2907A

PZT2907A

TO-92

SOT-23

Mark: 2F

SOT-223

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for use as a general purpose amplifier

and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced

from Process 63.

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

800

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

Thermal Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

PN2907A

*MMBT2907A **PZT2907A

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

350

2.8

1,000

8.0

mW/°C

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

357

125

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm².

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7

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PN2907A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC33725TA	ONSEMI	功能相似	NPN Bipolar Transistor
BC337-40	DIOTEC	功能相似	Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC337-25	DIOTEC	功能相似	Si-Epitaxial PlanarTransistors

与PN2907A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PN2907A/D	ETC	获取价格	General Purpose Transistor
PN2907A/D10Z	TI	获取价格	600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN2907A/D10Z-18	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
PN2907A/D10Z-J14Z	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
PN2907A/D10Z-J25Z	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
PN2907A/D10Z-J61Z	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
PN2907A/D11Z	TI	获取价格	600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN2907A/D11Z-18	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
PN2907A/D11Z-J61Z	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
PN2907A/D26Z-18	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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