PN2907A

更新时间： 2024-01-29 23:41:10

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体开关小信号双极晶体管
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Si-Epitaxial Planar Switching Transistors

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PN2907A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	8 pF
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	100 ns	VCEsat-Max：	1.6 V
Base Number Matches：	1

PN2907A 数据手册

PN2907 / PN2907A

Si-Epitaxial Planar Switching Transistors

Si-Epitaxie-Planar-Schalttransistoren

PNP

Version 2006-09-12

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

C B E

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

PN2907

PN2907A

(2N2907)

(2N2907A)

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

40 V

60 V

5 V

625 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- I_C= 0.1 mA, - V_CE= 10 V

PN2907

PN2907A

h_FE

–

- I_C= 1 mA, - V_CE= 10 V

- I_C= 10 mA, - V_CE= 10 V

- I_C= 500 mA, - V_CE= 10 V

- I_C= 150 mA, - V_CE= 10 V

PN2907

PN2907A

h_FE

100

–

PN2907

PN2907A

h_FE

100

–

PN2907

PN2907A

h_FE

–

h_FE

100

–

300

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

- I_C= 150 mA, - I_B= 15 mA

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

- V_CEsat

–

0.4 V

1.6 V

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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