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PIMD3

更新时间： 2024-02-11 10:31:10

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	228K
描述
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩProduction

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PIMD3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
极性/信道类型：	NPN/PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	晶体管元件材料：	SILICON

PIMD3 数据手册

PIMD3

NPN/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

12 August 2022

Product data sheet

1. General description

NPN/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

100 mA output current capability

•

Built-in bias resistors

Simplifies circuit design

Reduces component count

Reduces pick and place costs

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low current peripheral driver

Control of IC inputs

Replaces general-purpose transistors in digital applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor, for the PNP transistor with negative polarity

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_O

output current

100

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

R2/R1

0.8

1.2

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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