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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHB37N06T
PHB37N06T PDF预览

PHB37N06T

更新时间： 2024-01-28 05:29:09
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 72K
描述
TrenchMOS transistor Standard level FET

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PHB37N06T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：ESD PROTECTED雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：37 A
最大漏极电流 (ID)：37 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：148 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHB37N06T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Standard level FET  
PHB37N06T  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope  
suitable for surface mounting. Using  
’trench’ technology the device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in DC-DC  
converters and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
37  
100  
175  
35  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
g
3
source  
2
mb drain  
s
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
20  
37  
26  
148  
100  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
1.5  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
Minimum footprint, FR4  
board  
50  
-
K/W  
December 1997  
1
Rev 1.100  
12345678

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与PHB37N06T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
PHB37N06TT/R ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404

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