PHB27NQ10T

更新时间： 2024-01-28 21:47:42

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-channel TrenchMOS transistor

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PHB27NQ10T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	107 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

PHB27NQ10T 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP27NQ10T, PHB27NQ10T

PHD27NQ10T

Threshold Voltage, VGS(TO) (V)

Source-Drain Diode Current, IF (A)

4.5

VGS = 0 V

maximum

3.5

typical

175 C

2.5

Tj = 25 C

minimum

1.5

0.5

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

1.1 1.2 1.3 1.4 1.5

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

Junction Temperature, Tj (C)

Source-Drain Voltage, VSDS (V)

Fig.7. Typical transfer characteristics.

I_D= f(V_GS)

Fig.10. Gate threshold voltage.

_GS(TO)= f(T_j); conditions: I_D= 1 mA; V_DS= V_GS

Transconductance, gfs (S)

VDS > ID X RDS(ON)

Drain current, ID (A)

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

1.0E-05

1.0E-06

Tj = 25 C

175 C

minimum

typical

maximum

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

Drain current, ID (A)

Gate-source voltage, VGS (V)

Fig.8. Typical transconductance, T_j= 25 ˚C.

g_fs= f(I_D)

Fig.11. Sub-threshold drain current.

I_D= f(V_GS); conditions: T_j= 25 ˚C; V_DS= V_GS

Normalised On-state Resistance

2.9

2.7

2.5

2.3

2.1

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)

10000

Ciss

1000

100

Coss

Crss

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

0.1

100

Junction temperature, Tj (C)

Drain-Source Voltage, VDS (V)

Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.

R_DS(ON)/R_{DS(ON)25 ˚C}= f(T_j)

Fig.12. Typical capacitances, C_iss, C_oss, C_rss.

C = f(V_DS); conditions: V_GS= 0 V; f = 1 MHz

August 1999

Rev 1.000

1 2 3 456 7 8...12

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