是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | PLASTIC, LFPAK-4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.2 | 雪崩能效等级(Eas): | 250 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (ID): | 100 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0042 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MO-235 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 300 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HAT2168H-EL-E | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | |
HAT2165H-EL-E | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PH2931-135S | TE |
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Radar Pulsed Power Transistor 135W, 2.9-3.1 G | |
PH2931-20M | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse, 10% Duty 2.9-3.1 GHz | |
PH2931-5M | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor,5W,100ms Pulse, 10% Duty 2.9-3.1 GHz | |
PH2931-I3 | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor, 135W, 20ms Pulse, 1% Duty 2.9 - 3.1 GHz | |
PH2-C18575-14-MHP-A55935 | ADAM-TECH |
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Trapezoid | |
PH2-C18765-14-FHP-8 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Trapezoid | |
PH2-C2528-08-MVP-40735 | ADAM-TECH |
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Rectangular | |
PH2-C25410-06-FVP | ADAM-TECH |
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Square | |
PH2-C266-12-MVP-66 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Rectangular | |
PH2-C272-12-FVP-76 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Rectangular |