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PF48F6000M0Y1BE

更新时间： 2024-02-04 05:22:09

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
139页	2131K
描述
Flash, 64MX16, 96ns, PBGA105,

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PF48F6000M0Y1BE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FBGA, BGA105,9X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	96 ns
命令用户界面：	NO	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B105
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	512
端子数量：	105	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	64MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA105,9X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	16 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.046 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

PF48F6000M0Y1BE 数据手册

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Numonyx™ StrataFlash^®Cellular Memory (M18)

Table 71: Parameter / Mux Configuration Decoder (Sheet 2 of 2)

Code, Mux

Identification

Number of Flash Die

Bus Width

Flash Die 1

Flash Die 2

Flash Die 3

Flash Die 4

Top

Bottom

Top

T = Non Mux

U = AD Mux

X16

Bottom

Top

W = "Full" Ad

Mux

Bottom

Top

Bottom

X32

Top

Bottom

Table 72: Ballout Decoder

Code

Ballout Definition

0 (Zero)

SDiscrete ballout (Easay BGA and TSOP)

x16D ballout, 105 ball (x16 NOR + NAND + DRAM Share Bus)

x16C ballout, 107 ball (x16 NOR + NAND + PSRAM Share Bus)

QUAD/+ ballout, 88 ball (x16 NOR + PSRAM Share Bus)

x32SH ballout, 106 ball (x32 NOR only Share Bus)

x16SB ballout, 165 ball (x16 NOR / NAND + x16 DRAM Split Bus

x48D ballout, 165 ball (x16/x32 NOR + NAND + DRAM Split Bus

April 2008

309823-10

Datasheet

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