Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PDTA143EUT/R

PDTA143EUT/R

更新时间： 2024-01-08 05:09:29

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	70K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PDTA143EUT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	170784	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SC70 (SOT-323)	Samacsys Released Date：	2015-04-13 16:49:32
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PDTA143EUT/R 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP resistor-equipped transistor

PDTA143EE

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

collector-base voltage

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

−50

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

V_I

−

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

input voltage

open base

−50

−10

open collector

positive

−

+10

negative

−30

I_O

output current (DC)

peak collector current

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

−100

150

°C

I_CM

P_tot

T_stg

T_j

T_amb≤ 25 °C; note 1

−65

−

+150

150

°C

T_amb

−65

+150

°C

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

R_{th j-a}

thermal resistance from junction to ambient note 1

833

K/W

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

CHARACTERISTICS

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

collector cut-off current

CONDITIONS

I_C= 0; V_CB= −50 V

MIN.

TYP. MAX. UNIT

− −100 nA

I_CBO

I_CEO

−

I_B= 0; V_CE= −30 V

−

−1

µA

I_B= 0; V_CE= −30 V; T_j= 150 °C

I_C= 0; V_EB= −5 V

−

−50

−0.9

−

I_EBO

h_FE

emitter cut-off current

DC current gain

−

I_C= −10 mA; V_CE= −5 V

−

V_CEsat

V_i(off)

V_i(on)

collector-emitter saturation voltage I_C= −10 mA; I_B= −0.5 mA

−150 mV

input-off voltage

input-on voltage

input resistor

I_C= −100 µA; V_CE= −5 V

−

−1100 −500 mV

I_C= −20 mA; V_CE= −300 mV

−2.5

3.3

−1.9

−

4.7

6.1

kΩ

-------

resistor ratio

0.8

1.2

C_c

collector capacitance

I_E= i_e= 0; V_CB= −10 V; f = 1 MHz

−

1998 Jul 23

1 234 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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