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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.04 A |
| 最小待机电流： | 4.75 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.38 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PDM4M096S20DI | ETC | x8 SRAM Module |
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| PDM4M096S25D | ETC | x8 SRAM Module |
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| PDM4M096S25DI | ETC | x8 SRAM Module |
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| PDM4M096S35D | ETC | x8 SRAM Module |
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| PDM4M096S35DI | ETC | x8 SRAM Module |
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| PDM4M3120S12AM | IXYS | SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72 |
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