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PDM41024LA10TSO

更新时间： 2024-01-18 05:47:39

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	295K
描述
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

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PDM41024LA10TSO 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.23 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PDM41024LA10TSO 数据手册

PDM41024

Write Cycle No. 3 (Chip Enable Controlled)

ADDR

CE2

CE1

WP1

DATA VALID

HIGH-Z

OUT

NOTE: Output Enable (OE) is inactive (high)

AC Electrical Characteristics

(7)

Description

-10

-12

-15

WRITE Cycle

Sym

Min. Max. Min. Max. Min. Max. Units

WRITE cycle time

Chip enable active time

Address valid to end of write

Address setup time

Address hold from end of write

Write pulse width

WP1

WP2

Write pulse width

Data setup time

Data hold time

(1,3)

Write disable to output in low Z

LZWE

HZWE

Write enable to output in high Z

SHADED AREA = PRELIMINARY DATA

Notes referenced are after Data Retention Table

Rev. 3.3 - 4/09/98

1...4 5 678

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