5秒后页面跳转
PDM41024LA10TATY PDF预览

PDM41024LA10TATY

更新时间: 2024-02-29 20:44:09
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC /
页数 文件大小 规格书
8页 295K
描述
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

PDM41024LA10TATY 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.91
Is Samacsys:N最长访问时间:10 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.23 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

PDM41024LA10TATY 数据手册

 浏览型号PDM41024LA10TATY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PDM41024LA10TATY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PDM41024LA10TATY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PDM41024LA10TATY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PDM41024LA10TATY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PDM41024LA10TATY的Datasheet PDF文件第8页 
PDM41024  
Write Cycle No. 1 (Write Enable Controlled)  
t
WC  
ADDR  
t
t
AH  
AW  
t
CW  
CE2  
CE1  
t
AS  
t
WP2  
WE  
t
t
DH  
DS  
D
IN  
DATA VALID  
t
HZWE  
t
LZWE  
HIGH-Z  
D
OUT  
Write Cycle No. 2 (Write Enable Controlled)  
t
WC  
ADDR  
t
t
AH  
AW  
t
CW  
CE2  
CE1  
t
AS  
t
WP1  
WE  
t
t
DH  
DS  
D
IN  
DATA VALID  
HIGH-Z  
D
OUT  
NOTE: Output Enable (OE) is inactive (high)  
6
4/09/98 - Rev. 3.3  

与PDM41024LA10TATY相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
PDM41024LA10TI ETC 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

获取价格

PDM41024LA10TITR ETC 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

获取价格

PDM41024LA10TITY ETC 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

获取价格

PDM41024LA10TSO ETC 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

获取价格

PDM41024LA10TSOA ETC 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

获取价格

PDM41024LA10TSOATR ETC 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

获取价格