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PDM41024LA10TATR

更新时间： 2024-02-27 00:20:49

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8页	295K
描述
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

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PDM41024LA10TATR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.23 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PDM41024LA10TATR 数据手册

PDM41024

(1)

Capacitance (T = +25°C, f = 1.0 MHz)

Symbol

Parameter

Max.

Unit

Input Capacitance

Output Capacitance

OUT

NOTE:1. This parameter is determined by device characterization but is not production tested.

AC Test Conditions

Input pulse levels

to 3.0V

3 ns

Input rise and fall times

Input timing reference levels

Output reference levels

Output load

1.5V

See Figures 1 and 2

+5V

480Ω

D_OUT

255Ω

D_OUT

255Ω

5 pF

30 pF

Figure 1. Output Load Equivalent

Figure 2. Output Load Equivalent

(for t , t , t , t , t

LZCE HZCE LZWE HZWE LZOE

)

HZOE

Typical Delta t

vs Capacitive Loading

120

Additional Lumped Capacitive Loading (pF)

Figure 3.

4/09/98 - Rev. 3.3

1 2 345 6 7 8

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