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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.59 |
| 其他特性： | 2 WIRE INTERFACE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.1 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节： | 1010DDDR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 10.033 mm |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 128 words |
| 字数代码： | 128 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128X8 | 输出特性： | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.064 mm |
| 串行总线类型： | I2C | 子类别： | EEPROMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 100 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PCD8572I/J | ETC | I2C Serial EEPROM |
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| PCD8572I/P | ETC | EEPROM |
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| PCD8572-I/P | MICROCHIP | 128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 |
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| PCD8582 | ETC | EEPROM |
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| PCD8582/J | ETC | I2C Serial EEPROM |
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| PCD8582/P | ETC | EEPROM |
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