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P6SMBJ11A

更新时间: 2024-01-14 07:58:04
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美微科 - MCC 局域网IOT光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 1442K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN

P6SMBJ11A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-C2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.16其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压:14 V最小击穿电压:12.2 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:11 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

P6SMBJ11A 数据手册

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P6SMBJ6.8(C)A THRU P6SMBJ550(C)A  
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2004/08/20  

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