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P6SMB75CA/TR13

更新时间： 2024-02-28 15:12:23
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国巨 - YAGEO 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 608K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

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P6SMB75CA/TR13 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.64Is Samacsys：N
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL CERTIFIED最大击穿电压：78.8 V
最小击穿电压：71.3 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W最大重复峰值反向电压：64.1 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

P6SMB75CA/TR13 数据手册

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Circuit Protection  
Product Specification  
6
8
P6SMB  
Transient Voltage Suppressors  
Ratings and Characteristic Curves (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve  
Figure 2. Pulse Derating Curve  
100  
100  
80  
10  
1
60  
40  
20  
0
0.2×0.2″(5.0×5.0mm)  
Copper Pad Area  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
175  
td-Pulse Width (µs)  
TA-Ambient Temperature (℃)  
Figure 3. Pulse Waveform  
Figure 4. Typical Junction Capacitance  
10000  
150  
TJ=25℃  
Pulse Width(td) is defined as  
the point where the peak  
tr=10µs  
Bi-directional V=0V  
current decays to 50% of IPPM  
1000  
Uni-directional V=0V  
Peak Value IPPM  
100  
Uni-directional @VR  
100  
10  
Half Value IPPM (IPPM/2)  
50  
0
Bi-directional @VR  
10/1000µs Waveform  
as defined by R.E.A  
TJ=25℃  
f=1.0MHz  
Vsig=50mVp-p  
td  
1
1
10  
100  
1000  
0
1.0  
2.0  
3.0  
4.0  
VBR-Reverse Breakdown Voltage (V)  
t-Time (ms)  
Figure 5. Steady State Power Dissipation Derating  
Curve  
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Forward  
Surge Current Uni-Directional Only  
6
5
4
3
2
1
0
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
1
10  
100  
0
25  
50  
75  
100 125 150 175  
Number of Cycles at 60Hz  
TA-Ambient Temperature (℃)  
www.yageo.com  
Apr. 29, 2019 V.0  
1...345678

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