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P6SMB56CATR13LEADFREE

更新时间: 2024-02-29 22:22:42
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CENTRAL 局域网光电二极管
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2页 67K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 47.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

P6SMB56CATR13LEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.13
最大击穿电压:58.8 V最小击穿电压:53.2 V
击穿电压标称值:56 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:47.8 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

P6SMB56CATR13LEADFREE 数据手册

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