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P6KE16A-51-E3

更新时间： 2024-01-02 18:56:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15, PLASTIC, DO-214AC, 2 PIN, Transient Suppressor

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P6KE16A-51-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.57
其他特性：UL RECOGNIZED最大击穿电压：16.8 V
最小击穿电压：15.2 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：13.6 V表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

P6KE16A-51-E3 数据手册

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P6KE Series  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Ratings and  
Characteristic Curves (TA=25OC unless otherwise noted.)  
Fig. 2 – Pulse Derating Curve  
Fig. 1 – Peak Pulse Power Rating Curve  
100  
100  
Non-repetitive Pulse  
Waveform shown in Fig. 3  
TA = 25°C  
75  
50  
10  
1
25  
0
0.1  
0.1µs  
1.0µs  
10µs  
100µs  
1.0ms  
10ms  
25  
50  
75  
150  
175  
200  
0
100  
125  
td — Pulse Width (sec.)  
TA — Ambient Temperature (°C)  
Fig. 3 -- Pulse Waveform  
Fig. 4 – Typ. Junction Capacitance Uni-Directional  
150  
6,000  
TJ = 25°C  
Pulse Width (td) is defined  
tr = 10µsec.  
Measured at  
Zero Bias  
TJ = 25°C  
f = 1.0MHz  
Peak Value  
IPPM  
as the point where the  
peak current decays to  
50% of IPPM  
Vsig = 50mVp-p  
1,000  
100  
50  
Half Value — IPPM  
2
100  
10/1000µsec. Waveform  
as defined by R.E.A.  
Measured at  
Stand-Off  
Voltage, VWM  
td  
10  
0
10  
1.0  
3.0  
4.0  
1.0  
100  
200  
0
2.0  
t -- Time (ms)  
V(BR) — Breakdown Voltage (V)  
Fig. 5 – Steady State Power Derating Curve  
Fig. 6 - Max. Non-Repetitive Forward Surge Current  
5.0  
200  
TJ = TJ max.  
Uni-Directional Only  
L = 0.375" (9.5mm)  
Lead Lengths  
60 HZ Resistive or  
Inductive Load  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
(JEDEC Method)  
100  
50  
3.75  
2.5  
1.25  
0
1.6 x 1.6 x .040"  
(40 x 40 x 1mm)  
Copper Heat Sinks  
10  
25  
50  
75  
150  
175  
200  
0
100  
125  
1
5
10  
50  
100  
TL — Lead Temperature (°C)  
Number of Cycles at 60 Hz  
Fig. 7 –Typ. Reverse Leakage Characteristics  
Fig. 8 – Typ.Transient Thermal Impedance  
100  
100  
Measured at Devices  
Stand-off Voltage, VWM  
TA = 25°C  
10  
1
10  
1
0.1  
0.1  
0.001  
0.01  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
tp — Pulse Duration (sec)  
V(BR) — Breakdown Voltage (V)  
www.vishay.com  
4
Document Number 88369  
09-Oct-02  
12345

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与P6KE16A-51-E3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
P6KE16A-5410/4 VISHAY Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

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P6KE16A-5410/4-E3 VISHAY DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC, Transient Suppressor

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