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P4SMA39CAHE3_A/I

更新时间： 2024-01-17 09:51:33

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威世 - VISHAY		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	87K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN

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技术参数
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P4SMA39CAHE3_A/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMA, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.13
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	41 V
最小击穿电压：	37.1 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	3.3 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	33.3 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

P4SMA39CAHE3_A/I 数据手册

P4SMA Series

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

150

200

T_J= 25 °C

Pulse Width (t_d)

T_J= T_Jmax.

t_r= 10 µs

8.3 ms Single Half Sine-Wave

is defined as the Point

where the Peak Current

decays to 50 % of I_PPM

Peak Value

100

I_PPM

100

I_PP

Half Value -

I_PPM

10/1000 µs Waveform

as defined by R.E.A.

t_d

1.0

3.0

4.0

2.0

100

t - Time (ms)

Number of Cycles at 60 Hz

Fig. 3 - Pulse Waveform

Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current

Uni-Directional Use Only

10 000

T_J= 25 °C

f = 1.0 MHz

V_sig= 50 mVp-p

Measured at

Stand-Off

Voltage V_WM

1000

100

Uni-Directional

Bi-Directional

100

200

V_BR- Breakdown Voltage (V)

Fig. 4 - Typical Junction Capacitance

1000

100

0.001

0.01

0.1

100

1000

t_p- Pulse Duration (s)

Fig. 5 - Typical Transient Thermal Impedance

Revision: 10-Jan-14

Document Number: 88367

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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