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P4KE6.8A

更新时间： 2024-01-04 21:21:32
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 155K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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P4KE6.8A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：O-XALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.11
Is Samacsys：N最大击穿电压：7.48 V
最小击穿电压：6.12 V击穿电压标称值：6.8 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：10.8 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-XALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5.5 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

P4KE6.8A 数据手册

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P4 KE 6.8 ... P4 KE 440CA  
Unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
400 W  
Nominal breakdown voltage  
Nominale Abbruch-Spannung  
6.8...440 V  
Plastic case – Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-15 (DO-204AC)  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (Suffix “C” oder “CA”) gelten die el. Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Kenn- und Grenzwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 ꢀs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 ꢀs)  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
IF = 25 A  
VBR ꢀ 200 V  
VF  
VF  
< 3.0 V 3)  
< 6.5 V 3)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
VBR > 200 V  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+175ꢀC  
TS – 50…+175ꢀC  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to lead  
RthL  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
1
07.01.2003  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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