P0406FC05C

更新时间： 2024-01-16 08:18:45

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FLIP CHIP ARRAY

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P0406FC05C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	FLIP-CHIP
包装说明：	R-XBGA-B6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.66
最小击穿电压：	6 V	配置：	COMMON CATHODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-XBGA-B6	JESD-609代码：	e1
最大非重复峰值反向功率耗散：	250 W	元件数量：	6
端子数量：	6	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	270	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.0Ag3.5Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

P0406FC05C 数据手册

P0406FC3.3C*

thru

P0406FC36C*

DEVICE CHARACTERISTICS

MAXIMUM RATINGS @ 25°C Unless Otherwise Specified

SYMBOL

VALUE

250

UNITS

Watts

°C

PARAMETER

P_PP

T_J

Peak Pulse Power (t_p= 8/20µs) - See Figure 1

OperatingTemperature

-55°C to 150°C

StorageTemperature

T_STG

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LINE @ 25°C Unless Otherwise Specified

PART

NUMBER

(See Note 1)

RATED

STAND-OFF

VOLTAGE

MINIMUM

BREAKDOWN

VOLTAGE

MAXIMUM

CLAMPING

VOLTAGE

MAXIMUM

CLAMPING

VOLTAGE

MAXIMUM

LEAKAGE

CURRENT

(See Note 2)

TYPICAL

CAPACITANCE

(See Fig. 2)

@ 1mA

V_(BR)

VOLTS

@ I_P= 1A

V_C

VOLTS

@V_WM

I_D

µA

@0V, 1 MHz

V_WM

VOLTS

@8/20µs

V_C@ I_PP

P0406FC3.3C

P0406FC05C

P0406FC08C

P0406FC12C

P0406FC15C

P0406FC24C

P0406FC36C

3.3

5.0

8.0

12.0

15.0

24.0

36.0

4.0

6.0

8.5

13.3

16.7

26.7

40.0

7.0

9.8

12.5V @ 20A

14.7V @ 17A

19.2V @ 13A

29.7V @ 9.0A

35.7V @ 7.0A

55.0V @ 5.0A

84.0V @ 3.0A

75*

10**

10***

150

100

13.4

19.0

24.0

43.0

64.0

Note 1: All devices are bidirectional. Electrical characteristics apply in both directions.

Note 2: *Maximum leakage current < 5µA @ 2.8V. **Maximum leakage current <500nA @ 3.3V. ***Maximum leakage current <200nA @ 5V.

FIGURE 1

FIGURE 2

PEAK PULSE POWER VS PULSE TIME

PULSE WAVE FORM

120

100

10,000

1,000

TEST

t_f

WAVEFORM

PARAMETERS

t_f= 8µs

Peak Value I_PP

t_d= 20µs

e^-t

250W, 8/20µs Waveform

100

t_d= t

I_PP/2

0.01

100

1,000

10,000

t_d- Pulse Duration - µs

t - Time - µs

*U.S. Patent No. Des. “D456,367S”

05155.R4 3/05

www.protekdevices.com

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P0406FC05C-LF-T75-1	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 5V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, ROHS A
P0406FC05C-LF-T75-2	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 5V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, FLIP C
P0406FC05C-T710-2	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 5V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, 0406,
P0406FC08C	PROTEC	获取价格	FLIP CHIP ARRAY
P0406FC08C-LF	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 8V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, ROHS A
P0406FC08C-LF-T710-2	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 8V V(RWM), Bidirectional, 6 Element, Silicon, ROHS C
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